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Asianometry

輸給 EUV 破產的荷蘭公司,多光束技術被 ASML 用來做檢測了

Mapper Lithography 想用海量弱電子束取代 EUV 光刻機,燒光投資人耐心後破產,ASML 買下技術不做光刻,而是拿來做晶圓缺陷檢測。

半導體設備光刻電子束光刻ASML產業史併購
一條完整的失敗史:技術路線怎麼被物理原理否決、怎麼被資金和時機拖垮,又怎麼在另一個用途裡復活。適合對半導體設備史和技術路線賭注感興趣的人。

核心論點 · 點時間戳可跳到原聲

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檢測工具的血統來自破產對手

ASML 的新一代多光束檢測機 eScan 2200,用的多光束技術其實來自一家已經破產的荷蘭公司 Mapper Lithography。Mapper 曾試圖用海量電子束取代 ASML 自己的 EUV 光刻機,結果輸掉了這場賭注,2018年破產。但它的技術並沒有消失,而是被 ASML 買下,用在了完全不同的用途上——晶圓缺陷檢測。這集順著這條技術線,把一家失敗公司二十年的歷史講了一遍。

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SCALPEL 死於電子互相排斥

在 Mapper 之前,貝爾實驗室主導的 SCALPEL 方案想把光刻的投影思路搬到電子束上:用一張放大四倍的散射掩模控制電子束,再用光闌過濾被強烈散射的電子。問題出在光闌這個必經的「渡越點」(crossover)上——所有電子必須擠過同一窄口,彼此排斥產生隨機干擾,形成無法用普通透鏡修正的模糊。貝爾實驗室搞了十多年沒能解決,應用材料和尼康後續跟進同類方案也都失敗。這成了 Kruit 日後設計 Mapper 方案時刻意要避開的坑。

7:13

解法是幾百萬條微弱光束

Kruit 的思路是反過來:與其讓所有電子擠過一個瓶頸,不如製造成百上千萬條各自獨立、功率很低的電子「小光束」,功率低就不會互相干擾。他最初的論文設想了一百萬到一億條光束。兩名研究生 Bert Kampherbeek 和 Marco Wieland 把這個概念做了出來,取名「Multiple Aperture Pixel by Pixel Enhancement of Resolution」,縮寫正好是 MAPPER。2000年公司成立,早期投資人之一是 ASM International 的創始人 Arthur Del Prado,也就是 ASML 的「半個父親」。

9:22

物理原理理解錯了,白乾兩年

Mapper 最初的設計想給每條光束配一個獨立電子源:用光斑陣列照射一張轉換板,轉換板把光轉換成電子束陣列。團隊一開始以為轉換板的工作原理像光電陰極,電子被光直接「敲出來」,電流穩定、可以開關。後來才發現理解錯了——它其實是光電二極管驅動場發射極,電子來自一個被電場拉出的電子池,光只是給這個池子補充電子。結果既無法精確控制電子的能量和位置,也沒法快速開關,一兩年後只能推倒重來,改成用一束電子分流成多條光束。

14:32

TSMC 投 Mapper 是為了留後手

當時行業內部對下一代光刻技術完全沒有共識,甚至有人主張乾脆放棄找新技術,一直用多重曝光頂下去。TSMC 不是把寶全押在一個技術上的公司,在資助 ASML 做 EUV 的同時,2008年也投資了 Mapper,把它當作 EUV 萬一不成的備選方案,派研發人員買 Mapper 的機臺做測試反饋。Mapper 單臺機臺的吞吐量目標只有每小時10片,遠不及 EUV 或多重曝光的百片級別,雙方的對策是把多臺機器「攢」成集群,用數量換產能。

17:41

EUV 加速的速度 Mapper 追不上

就在 Mapper 還在為能不能堆到每小時10片發愁時,ASML 的 EUV 光源因為引入「預脈衝」技術重塑錫滴形狀,功率和產能開始快速爬升。資金緊張則讓 Mapper 的迭代速度始終跟不上——節目裡提到,如果當初能更快拿出哪怕只是半成品的機臺去搶佔聲量,結果可能不一樣。缺錢甚至讓 Mapper 在2012年接受了俄羅斯國有投資基金 RUSNANO 領投的一輪融資,後來還在莫斯科開了一家生產透鏡元件的 MEMS 工廠。

19:46

投資人一死公司就沒了退路

Mapper 真正的轉折點是 ASM International 創始人 Arthur Del Prado 在2016年去世。他是 Mapper 最穩定的金主,他的遺產管理方表示除非找到新的主投資人,否則不會繼續出錢。但 Mapper 當時手裡已經沒有一個能打動新投資人的故事:做 EUV 替代需要的錢太多、EUV 又領先太多;轉向做小批量試產或安全定製芯片又需要上億美元才能商業化。公司最終在2018年12月申請破產,ASML 出面把技術和資產留在了荷蘭,但買下後並沒有繼續做光刻機這條產品線。

21:47

技術沒死,轉去做了缺陷檢測

ASML 2016年曾花重金收購臺灣公司 Hermes Microvision(HMI)做電子束檢測。檢測要解決的問題是:EUV 時代缺陷越來越小,光學檢測找不到,而且2.5D/3D堆疊結構裡很多缺陷根本不在表面,電子束可以做光學做不到的「電壓襯度檢測」。但電子束檢測的老問題還是太慢,跟不上產線節奏。把 HMI 的電子束檢測和 Mapper 的多光束技術拼到一起,正好能解決這個吞吐量問題。2022年 ASML 推出 eScan 1000、1100,再到現在的 eScan 2200,光束數量一路擴大。

原話 · 已逐字校驗

So what is the catch? The technique's Achilles Heel is its throughput. EBDW is slow as molasses.

問題出在哪?這項技術的致命弱點是產能——電子束直寫光刻慢得像糖漿一樣。

Kruit got two of his graduate students Bert Kampherbeek and Marco Wieland to develop the concept, which was named "Multiple Aperture Pixel by Pixel Enhancement of Resolution", or MAPPER.

Kruit 讓兩名研究生 Bert Kampherbeek 和 Marco Wieland 把這個概念做出來,取名「Multiple Aperture Pixel by Pixel Enhancement of Resolution」,縮寫正是 MAPPER。

Turns out that understanding was wrong. The plate wasn't actually a photocathode, but rather a photodiode feeding a field emitter.

後來發現這個理解是錯的。那塊板子其實不是光電陰極,而是一個由光電二極管驅動的場發射極。

I am somewhat reminded of water flow going through a shower head.

這讓我有點想起水流過花灑的樣子。

This achievement is a significant breakthrough. This proves the multi-beam resolution capability of Mapper's low voltage approach.

這項成果是一次重大突破,證明了 Mapper 低電壓方案的多光束分辨率能力。

Burn Lin15:34

Had the company managed to get something out faster - even if that something was half usable - then perhaps it could have generated more momentum.

如果這家公司能更快拿出點什麼——哪怕只是半成品——或許就能積累起更多勢頭。

Mapper Lithography's technology failed to compete with ASML's, but its revitalization as part of this larger strategy is a nice reminder that in the semiconductor industry, a failure in one era can be a success in another.

Mapper Lithography 的技術沒能在競爭中勝過 ASML,但它作為更大戰略的一部分重獲新生,恰好提醒我們:在半導體行業,一個時代的失敗可能是另一個時代的成功。

數字與實體

ASML 收購 HMI 價格31億美元21:47
ASML 收購 Mapper IP 與資產價格7500萬歐元20:47
Mapper 被收購時員工數240-270人20:47
RUSNANO 領投 Mapper 融資額8000萬歐元17:41
eScan 1000 / 1100 光束數9束(3x3網格)/ 25束(5x5網格)22:48
FLX-1200 光束數與目標光束數1300束,需擴到13000束18:45
同期 EUV 光源功率與產能80-100瓦,約60片/小時18:45
Mapper Lithography 成立年份2000年7:13

術語

EBDW電子束直寫光刻
用聚焦電子束直接在光刻膠上畫出芯片圖案,不需要光掩模
SCALPEL散射角限制投影電子束光刻
貝爾實驗室提出的電子束投影方案,因電子互斥模糊而失敗
crossover渡越點/電子交叉點
電子束必須擠過的狹窄位置,高密度電子在此互斥產生模糊
Voltage Contrast inspection電壓襯度檢測
用電子束打表面、測反彈電子來判斷深層電接觸質量的方法
holistic lithography整體光刻策略
ASML 把曝光、計算光刻、檢測量測整合成一套閉環優化系統的戰略

收聽指南

誰該聽

半導體設備從業者、關注 ASML/EUV 產業史的投資人,以及對技術路線賭輸後如何「復活」感興趣的人。

可跳過

開頭關於 EBDW 基礎原理和分類的部分(0:00-2:00)技術背景性強,趕時間可以跳過。